DRAM과 SRAM의 간단한 설명

DRAM(Dynamic random-access memory)

 

DRAM은 각각 1bit를 저장하는 capacitor(축전기)들로 이루어져 있다.

이 capacitor는 물리적으로 전자를 누전하는 성질을 가지고 있다.

그렇기 때문에 DRAM은 주기적으로 capacitor에 다시 전자를 채워야 한다.

이렇게 capacitor에 전자를 채우는 일을 refresh라고 한다.

dynamic이라는 말이 붙게된 이유가 바로 DRAM은 주기적으로 refresh를 해주어야 하기 때문이다.

DRAM은 SRAM에 비해 느리지만 가격이 저렴하여 main memory에 주로 사용된다.

 

Random-access라는 명칭이 붙은 이유는 어떤 임의의 메모리 공간도 같은 시간이 접근할 수 있다는 뜻이다.

지금처럼 반도체가 당연한 세상에서는 이해할 수 없지만 자기테이프나 하드디스크는 각 데이터 마다 접근 시간이 다르다.

 

다음은 DRAM의 회로도 이다.

 

 

 

SRAM(Static random-access memory)

 

DRAM과 다르게 주기적으로 refresh를 해줄 필요없이 전기가 공급되는 한 그 내용이 보존된다.

SRAM은 각각의 bit가 4개의 트렌지스터로 이루어진 두 쌍의 인버터에 저장된다.

두 쌍의 인버터가 0과 1의 값을 안정된 상태로 유지하고 두개의 접근 트렌지스터가 읽기와 쓰기 기능을 수행한다.

따라서 한 개의 bit를 저장하고 입출력하는데 6개의 트렌지스터가 필요하다.

이렇게 SRAM은 회로의 대칭 구조로 인해서 DRAM보다 상대적으로 입출력 속도가 빠르다. 

SRAM은 DRAM보다 빠르지만 가격이 비싸 cache나 register를 구성하는데 사용된다.

SRAM은 SDRAM과는 전혀 다르므로 주의해야 한다.

 

다음은 6개의 트렌스터로 구성된 SRAM의 한 cell의 회로도이다.